据韩国媒体 The Elec 报说念伊犁钢绞线型号及规格一览表伊犁钢绞线型号及规格一览表，电子打算于本年认真罢手2D NAND闪存存储的坐褥，并对关联老旧坐褥线进行改良伊犁钢绞线型号及规格一览表，以安妥快速增长的东说念主工智能算力与带宽存储（HBM）需求。

报说念指出，三星位于韩国华城基地的12号坐褥线现在主要用于坐褥2D NAND，这工艺已属于“老旧期间”。 该产线具备每月约8万至10万片12英寸晶圆的产能，但在3D NAND取代平面NAND的大趋势下，其原有效途已不再符阛阓向。 三星并未选拔肤浅关停该体式，而是将其中多量仍具价值的晶圆制造建设转用于DRAM金属化工序，即在DRAM芯片里面酿成集中存储单位的金属线通路。

完成改良后，华城12号线将用于坐褥三星六代10 nm1c DRAM，这工艺节点被用于下代HBM4产物。 三星瞻望，到本年下半年，锚索其1c DRAM总月产能可提高至约20万片晶圆，华城改良产线将与平泽的P3、P4坐褥线协同运作，为HBM4提供多产能撑执。

2D NAND闪存早在上世纪90年代末被引入，并执续量产多年，但近几年各大存储厂商已继续将要点转向堆叠结构的3D NAND。 比拟传统平面NAND，3D NAND在容量密度、可靠以及举座能面齐有赫然势，安妥对数据中心与端末端建设的需求。 三星打算在本年3月罢手2D NAND坐褥，为3D NAND过甚他附加值存储产物腾出多制造空间。

业内东说念主士以为，通过将原2D NAND产线改良为DRAM及HBM关联产能，三星有望在人人带宽存储阛阓中相当牢固地位。 在面前存储器供应趋紧的大配景下，增多DRAM与HBM的有产能，亦有助于在定过程上缓解存储供应病笃和价钱上行压力。